Исследование взаимодействия СВЧ-резонаторов с неоднородно легированными по толщине полупроводниковыми слоями

Abstract

Рассмотрены вопросы исследования неоднородно легированных по глубине полупроводниковых структур на СВЧ с помощью Н012-цилиндрического резонатора. С использованием одномодового приближения и вариационного метода рассчитаны зависимости добротности резонатора и сигнала фотопроводимости на его выходе от уровня включения неоднородно легированного образца в поле резонатора и параметров профиля легирования. Построены градуировочные характеристики для двухпараметрового контроля диффузионных структур при известном законе распределения электропроводности по их глубине. Обоснованы методики измерения.