Публікація:
Radiation sensitive integrated detectors based on compounds AIIBVI

Зображення мініатюри

Файли

2007 Paper .pdf (164.9 KB)

Дата

2007

Автори

Назва журналу

ISSN журналу

Назва тому

Видавець

ХНУРЕ

Дослідницькі проекти

Організаційні одиниці

Випуск журналу

Анотація

Methods are considered of preparation of photosensitive structures nZnSe(Te)–pZnTe and ZnSe(Te)/pZnTe–nCdSe using solid-phase substitution reactions and subsequent epitaxial growth on crystals ZnSe(Te) . It has been shown that maximum e.m.f. value for integrated detectors is 1,2-1,4 V, and their X-ray sensitivity reaches values up to 150-200 nAmin/Rcm2.

Опис

Ключові слова

scintillators, radiation, detector

Цитування

Galat A. B. Radiation sensitive integrated detectors based on compounds AIIBVI / A. B. Galat, P. A. Gashin, B. V. Grinyov, N.G. Starzhinskiy, I.M. Zenya//Радиотехника. Всеукр. межвед. науч.-техн. сб.,2007. –Вып. 150. –С.148–150.

DOI

URI

http://openarchive.nure.ua/handle/document/6711

Колекції

Кафедра мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв (МЕЕПП)

Схвалення

Рецензія

Доповнено

На які посилаються