Кафедра мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв (МЕЕПП)

Постійний URI для цієї колекції

https://openarchive.nure.ua/handle/document/53

Перегляд

Перегляд Кафедра мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв (МЕЕПП) за автором "Chernyshov, N. N."

Зараз показано 1 - 1 з 1
  • Зображення мініатюри
    Публікація
    The photogalvanic effect within spin resonanse in quantizing magnetic field
    (ХНУ ім. Каразіна, 2013) Chernyshov, N. N.; Slipchenko, N. I.; Tsymbal, A. M.; Umyarov, K. T.; Lukianenko, V. L.
    В статье исследована теория фотогальванического эффекта в оптических переходах между спинами вокруг уровней Ландау в пределах ультраквантового предела. Рассматривается геометрия, когда поляризация перпендикулярна и электрический ток направлен вдоль магнитного поля. Эффект вызван в соответствии с кубическими членами в гамильтониане, которые существуют из-за отсутствия центра инверсии. Рассмотренное уравнение магнитного поля имеет характер резонанса и имеет два четных и нечетных полевых вклада. Такой характер эффекта связан с резонансом в промежуточном состоянии и использовании вторых амплитуд перехода порядка в релятивистских вкладах в гамильтониане.The paper theoretically investigates the photogalvanic effect in optic transitions between spin subzones of Landau levels within ultraquantum limit. A geometry is considered when polarization is perpendicular and the electric current is directed along the magnetic field. The effect is caused by cubic terms in the Hamiltonian function, which exist due to the absence of an inversion center. The considered magnetic field relation is of resonance character, the said relation having both odd and even field contributions. Such an effect character is related to the resonance in the intermediate state and interference of second order transition amplitudes in relativistic contributions in the Hamiltonian function.