Дослідження напівпровідників за допомогою терагерцевої спектроскопії методом «накачування–зонд»

Вакула, М. Б.

Публікація:
Дослідження напівпровідників за допомогою терагерцевої спектроскопії методом «накачування–зонд»

dc.contributor.author	Вакула, М. Б.
dc.date.accessioned	2021-11-29T15:53:07Z
dc.date.available	2021-11-29T15:53:07Z
dc.date.issued	2021
dc.description.abstract	The principle of operation of terahertz spectroscopy for monitoring the properties of chromium-alloyed gallium arsenide (GaAs: Cr) was considered in this work. The diagram of the terahertz spectroscopy apparatus is presented and described. The scientific novelty of the work lies in the use of a new method for studying the relaxation mechanisms of charge carriers, including the determination of the parameters of defects (traps), such as the capture cross sections, concentration, and energy positions in semiconductors with different structures.	uk_UA
dc.identifier.citation	Вакула М. Б. Дослідження напівпровідників за допомогою терагерцевої спектроскопії методом «накачування–зонд» / М. Б. Вакула, науковий керівник – доцент Глухов О. В. // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : матеріали 25-го Міжнар. молодіжн. форуму, 20-22 квітня 2021 р. – Харків : ХНУРЕ, 2021. – Т. 1. – С. 33–34.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/18500
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЕ	uk_UA
dc.title	Дослідження напівпровідників за допомогою терагерцевої спектроскопії методом «накачування–зонд»	uk_UA
dc.type	Conference proceedings	uk_UA
dspace.entity.type	Publication