Сравнительный анализ зонных структур GaN и InN

Публікація:
Сравнительный анализ зонных структур GaN и InN

dc.contributor.author	Ибадуллин, М. М.
dc.contributor.author	Пащенко, А. Г.
dc.date.accessioned	2019-04-17T11:03:26Z
dc.date.available	2019-04-17T11:03:26Z
dc.date.issued	2017
dc.description.abstract	Among the complex semiconductor compounds the first place on the frequency of use in electronic devices occupy a double (binary) semiconductors connections of type of AIIIBV, which form the basis for optoelectronics and high-speed microwave – devices.	uk_UA
dc.identifier.citation	Ибадуллин М. М. Сравнительный анализ зонных структур GaN и InN / М. М. Ибадуллин, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : зб. тез. доп. ХХI Харків. конф. молодих науковців, 25–27 квіт. 2017 р. – Харків, 2017. – С. 27.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/8389
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЕ	uk_UA
dc.subject	зонная структура	uk_UA
dc.title	Сравнительный анализ зонных структур GaN и InN	uk_UA
dc.type	Thesis	uk_UA
dspace.entity.type	Publication