Публікація:
Математические аспекты метода полевого эффекта для спектроскопии локализованных состояний в неупорядоченных полупроводниках

Проста сторінка документа
dc.contributor.authorГордиенко, Ю. Е.
dc.contributor.authorЯковлев, Д. Р.
dc.date.accessioned2021-08-06T14:53:22Z
dc.date.available2021-08-06T14:53:22Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractРассмотрено влияние параметров экспоненциального распределения плотности локализованных состояний в щели подвижности a-Si : Н на сток-затворные характеристики тонкопленочной транзисторной структуры на его основе. Для этого использована квазидвумерная модель транзистора. Полученные результаты могут быть использованы в методе полевого эффекта при выполнении итерационного процесса в соответствии с приведенным алгоритмом решения обратной задачи о характере распределения плотности состоянийuk_UA
dc.identifier.citationГордиенко Ю. Е. Математические аспекты метода полевого эффекта для спектроскопии локализованных состояний в неупорядоченных полупроводниках / Ю. Е. Гордиенко, Д. Р. Яковлев // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 2001. – Вып. 121. – С. 139–145.uk_UA
dc.identifier.urihttps://openarchive.nure.ua/handle/document/17328
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherХТУРЭuk_UA
dc.subjectрадиотехникаuk_UA
dc.subjectэкспоненциальное распределение плотностиuk_UA
dc.titleМатематические аспекты метода полевого эффекта для спектроскопии локализованных состояний в неупорядоченных полупроводникахuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакунок

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
RT_2001_121_139-145.pdf
Розмір:
449.98 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Пакунок ліцензії

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Радіотехніка