Математические аспекты метода полевого эффекта для спектроскопии локализованных состояний в неупорядоченных полупроводниках

Abstract

Рассмотрено влияние параметров экспоненциального распределения плотности локализованных состояний в щели подвижности a-Si : Н на сток-затворные характеристики тонкопленочной транзисторной структуры на его основе. Для этого использована квазидвумерная модель транзистора. Полученные результаты могут быть использованы в методе полевого эффекта при выполнении итерационного процесса в соответствии с приведенным алгоритмом решения обратной задачи о характере распределения плотности состояний