Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду

Публікація:
Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду

dc.contributor.author	Яцун, К. С.
dc.date.accessioned	2022-04-02T12:50:34Z
dc.date.available	2022-04-02T12:50:34Z
dc.date.issued	2021
dc.description.abstract	У загальному випадку резонансно-тунельний діод являє собою періодичну структуру, яка складається з послідовно розташованих квантових колодязів, розділених потенційними бар'єрами, з електричними контактами до двох крайніх протилежних областей	uk_UA
dc.identifier.citation	Яцун К. С. Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду / К. С. Яцун // Радіотехніка : Всеукр. міжвід. наук.-техн. зб. – Харьків, 2021. – Вип. 205. – С. 108–112.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/20080
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЕ	uk_UA
dc.subject	радиотехника	uk_UA
dc.subject	резонансно-тунельний діод	uk_UA
dc.title	Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication