Высокоэффективные непрерывные GaInSbAs/GaSb лазеры второго типа

Abstract

Приведены результаты исследований узких полосковых GalnSbAs/GaSb лазеров второго типа. Измерение характеристик лазеров проводилось в непрерывном режиме при комнатной температуре. Выходная оптическая мощность достигала 20 мВт с одной грани резонатора. Внутренняя квантовая эффективность лазеров составила 89 % и электрический КПД достигал 20 %. Лазер работал на основной пространственной моде и генерировал в одночастотном режиме в широком диапазоне токов и температур. Подавление боковых мод достигало 30 дБ. Длина волны излучения лазеров могла непрерывно перестраиваться током в диапазоне 0,7-1,2 нм. Свойство лазера работать на одной продольной моде было объяснено фоторефрактивным эффектом из-за присутствия DX центров в ЭС, легированных Те, действующих как насыщающийся поглотитель