Публікація: Высокоэффективные непрерывные GaInSbAs/GaSb лазеры второго типа
Завантаження...
Дата
2000
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХТУРЭ
Анотація
Приведены результаты исследований узких полосковых GalnSbAs/GaSb лазеров второго типа. Измерение характеристик лазеров проводилось в непрерывном режиме при комнатной температуре. Выходная оптическая мощность достигала 20 мВт с одной грани резонатора. Внутренняя квантовая эффективность лазеров составила 89 % и электрический КПД достигал 20 %. Лазер работал на основной пространственной моде и генерировал в одночастотном режиме в широком диапазоне токов и температур. Подавление боковых мод достигало 30 дБ. Длина волны излучения лазеров могла непрерывно перестраиваться током в диапазоне 0,7-1,2 нм. Свойство лазера работать на одной продольной моде было объяснено фоторефрактивным эффектом из-за присутствия DX центров в ЭС, легированных Те, действующих как насыщающийся поглотитель
Опис
Ключові слова
радиотехника, лазер второго типа
Бібліографічний опис
Высокоэффективные непрерывные GaInSbAs/GaSb лазеры второго типа / Д. А. Яреха, А. Н. Баранов, И. Руйард, К. Алиберт, М. М. Быков // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 2000. – Вып. 115. – С. 122–127.