Інформаційні технології моделювання напівпровідникових структур

Лашко, Е. І.; Стрілкова, Т. О.

Публікація:
Інформаційні технології моделювання напівпровідникових структур

dc.contributor.author	Лашко, Е. І.
dc.contributor.author	Стрілкова, Т. О.
dc.date.accessioned	2025-04-19T07:19:35Z
dc.date.available	2025-04-19T07:19:35Z
dc.date.issued	2025
dc.description.abstract	The work is dedicated to the study of the application of information technologies for modeling donor-acceptor semiconductor structures for the development of materials for photodetectors, lasers, and high-speed electronics. It presents the capabilities of Mathcad and GaussView 6 for analyzing the spatial structure of semiconductors, electronic levels, and energy characteristics. The study also explores spatial and energy structures of semiconductors used in optoelectronics, providing valuable insights for the design and improvement of optoelectronic devices.
dc.identifier.citation	Лашко Е. І. Інформаційні технології моделювання напівпровідникових структур / Е. І. Лашко, Т. О. Стрілкова // Радіоелектроніка та молодь у XXI столітті : матеріали 29-го Міжнар. молодіж. форуму, 16–19 квітня 2025 р. – Харків : ХНУРЕ, 2025. – Т. 1. – С. 56–58.
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/30385
dc.language.iso	uk
dc.subject	моделювання напівпровідникових структур
dc.subject	donor-acceptor semiconductor
dc.title	Інформаційні технології моделювання напівпровідникових структур
dc.type	Thesis
dspace.entity.type	Publication