Публікація:
Інформаційні технології моделювання напівпровідникових структур

Спрощена сторінка документу
dc.contributor.authorЛашко, Е. І.
dc.contributor.authorСтрілкова, Т. О.
dc.date.accessioned2025-04-19T07:19:35Z
dc.date.available2025-04-19T07:19:35Z
dc.date.issued2025
dc.description.abstractThe work is dedicated to the study of the application of information technologies for modeling donor-acceptor semiconductor structures for the development of materials for photodetectors, lasers, and high-speed electronics. It presents the capabilities of Mathcad and GaussView 6 for analyzing the spatial structure of semiconductors, electronic levels, and energy characteristics. The study also explores spatial and energy structures of semiconductors used in optoelectronics, providing valuable insights for the design and improvement of optoelectronic devices.
dc.identifier.citationЛашко Е. І. Інформаційні технології моделювання напівпровідникових структур / Е. І. Лашко, Т. О. Стрілкова // Радіоелектроніка та молодь у XXI столітті : матеріали 29-го Міжнар. молодіж. форуму, 16–19 квітня 2025 р. – Харків : ХНУРЕ, 2025. – Т. 1. – С. 56–58.
dc.identifier.urihttps://openarchive.nure.ua/handle/document/30385
dc.language.isouk
dc.subjectмоделювання напівпровідникових структур
dc.subjectdonor-acceptor semiconductor
dc.titleІнформаційні технології моделювання напівпровідникових структур
dc.typeThesis
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакунок

Показано 1 - 1 з 1
Мініатюра зображення
Назва:
PiM_2025_T1_MEEPP_56-58.pdf
Розмір:
196.18 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Пакунок ліцензії

Показано 1 - 1 з 1
Мініатюра зображення
Назва:
license.txt
Розмір:
9.55 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Кафедра мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв (МЕЕПП)