Влияние геометрии аморфных неоднородностей на фотопроводимость с-SI

Публікація:
Влияние геометрии аморфных неоднородностей на фотопроводимость с-SI

dc.contributor.author	Бабыченко, О. Ю.
dc.contributor.author	Пащенко, А. Г.
dc.date.accessioned	2019-05-19T21:34:23Z
dc.date.available	2019-05-19T21:34:23Z
dc.date.issued	2018
dc.description.abstract	The given work is presented perspective directions of modification the silicon structure for obtaining a higher coefficient of transformation in solar cells. A mathematical model is proposed for estimating the effect of the geometry amorphous heterogeneity’s in crystalline silicon on the photoconductivity.	uk_UA
dc.identifier.citation	Бабыченко О. Ю. Влияние геометрии аморфных неоднородностей на фотопроводимость с-SI / О. Ю. Бабыченко, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІІ столітті : зб. тез. доп. ХХI Харків. конф. молодих науковців, 17–19 квіт. 2018 р. – Харків, 2018. – С. 47.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/8820
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЕ	uk_UA
dc.subject	Влияние геометрии аморфных неоднородностей	uk_UA
dc.subject	фотопроводимость с-SI	uk_UA
dc.title	Влияние геометрии аморфных неоднородностей на фотопроводимость с-SI	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication