Исследование деградации в системе Nb - Nb2О5 электрографическим методом

Abstract

Исследовалась деградация электрофизических параметров тонких пленок системы Nb-Nb2O5 путем анализа пространственного распределения неоднородностей в них после отжига электрографическим методом. Установлено, что при температуре отжига до 250С деградация электрофизических параметров пленок осуществлялась вследствие зернограничной диффузии кислорода внутрь подложек Nb. При температуре отжига выше 250 С деградация тех же параметров осуществлялась вследствие объемной диффузии кислорода кислорода внутрь подложек Nb. Отжиг при температурах больших 300 С вызывал деградацию пленок Nb2O5, связанную с их локальной кристаллизацией..