Публікація:
Особливості впливу ізовалентних домішок на структурні спотворення кристалів телуріду кадмію

dc.contributor.authorБойко, Ю. М.
dc.date.accessioned2016-07-08T09:00:51Z
dc.date.available2016-07-08T09:00:51Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractЕлектричні, оптичні і деякі інші фізичні властивості напівпровідників визначаються виключно дефектами кристалічної структури і електронної системи їх атомів. Планова зміна якості і кількості певних дефектів дає можливість отримувати прогнозовані фізичні властивості напівпровідників. Отже основною задачею є дослідження впливу різних видів дефектів на ті чи інші фізичні властивості. The conducted analysis of influencing of іzovalency admixtures is on the band of own point defects of crystals of tellur cadmium. The processes of formation of point defects and their influence are analysed on physical properties of semiconductors as AВ. Realizable analysis of influencing of displacement of atoms of grate as a result of alloying of connection of AB by a іzovalency admixture.uk_UA
dc.identifier.citationБойко, Ю. М. Особливості впливу ізовалентних домішок на структурні спотворення кристалів телуріду кадмію / Ю. М. Бойко // Функциональная компонентная база микро-, опто- и наноэлектроники : сб. науч. тр. ІІІ Междунар. науч. конф., 28 сент. – 2 окт. 2010 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2010. – С. 122-124.uk_UA
dc.identifier.urihttp://openarchive.nure.ua/handle/document/1389
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherХНУРЭuk_UA
dc.subjectтетраедрична конфігурація атомівuk_UA
dc.subjectзміщення атомівuk_UA
dc.subjectгратки ізовалентні домішки Znuk_UA
dc.titleОсобливості впливу ізовалентних домішок на структурні спотворення кристалів телуріду кадміюuk_UA
dc.typeConference proceedingsuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Назва:
2(122-124)-1.doc
Розмір:
87.5 KB
Формат:
Microsoft Word
Ліцензійний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: