Публікація: Особливості впливу ізовалентних домішок на структурні спотворення кристалів телуріду кадмію
Немає доступних мініатюр
Дата
2010
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХНУРЭ
Анотація
Електричні, оптичні і деякі інші фізичні властивості напівпровідників визначаються виключно дефектами кристалічної структури і електронної системи їх атомів. Планова зміна якості і кількості певних дефектів дає можливість отримувати прогнозовані фізичні властивості напівпровідників. Отже основною задачею є дослідження впливу різних видів дефектів на ті чи інші фізичні властивості. The conducted analysis of influencing of іzovalency admixtures is on the band of own point defects of crystals of tellur cadmium. The processes of formation of point defects and their influence are analysed on physical properties of semiconductors as AВ. Realizable analysis of influencing of displacement of atoms of grate as a result of alloying of connection of AB by a іzovalency admixture.
Опис
Ключові слова
тетраедрична конфігурація атомів, зміщення атомів, гратки ізовалентні домішки Zn
Бібліографічний опис
Бойко, Ю. М. Особливості впливу ізовалентних домішок на структурні спотворення кристалів телуріду кадмію / Ю. М. Бойко // Функциональная компонентная база микро-, опто- и наноэлектроники : сб. науч. тр. ІІІ Междунар. науч. конф., 28 сент. – 2 окт. 2010 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2010. – С. 122-124.