Одноелектронні транзистори

Грабіщенко, Я. О.

Публікація:
Одноелектронні транзистори

dc.contributor.author	Грабіщенко, Я. О.
dc.date.accessioned	2023-07-11T16:40:50Z
dc.date.available	2023-07-11T16:40:50Z
dc.date.issued	2023
dc.description.abstract	The report considers the principle of operation of a single-electron transistor and its structure. A single-electron transistor is a transistor, the main parameters of which are high-speed operation and low energy consumption, which is based on the possibility of obtaining noticeable values of current changes by manipulating individual electrons when they pass through a tunnel junction. The purpose of creating such transistors is to reduce energy consumption, heat generation, significantly increase the speed and compactness of microcircuit elements.
dc.identifier.citation	Грабіщенко Я. О. Одноелектронні транзистори / Я. О. Грабіщенко, О. Ю. Бабиченко // Радіоелектроніка та молодь у XXI столітті : матеріали 27-го Міжнародн. молод. форума, 2023 р. - Харків : ХНУРЕ, 2023. - Т. 1- С. 33-34.
dc.identifier.other	УДК 621.38.049.77
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/23688
dc.language.iso	uk
dc.publisher	ХНУРЕ
dc.subject	single-electron transistor
dc.subject	structure
dc.subject	transistor
dc.subject	microcircuit elements
dc.title	Одноелектронні транзистори
dc.title.alternative	SINGLE ELECTRON TRANSISTORS
dc.type	Conference proceedings
dspace.entity.type	Publication