Публікація: Формування енергетичних мінізон у багатошарових наноструктурах
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
Анотація
Об’єктом досліджень є багатошарова квантоворозмірна структура на основі GaAs/AlхGa1-хAs.
Метою даної дипломної роботи є розгляд енергетичних станів частинок та квазічастинок, які знаходяться в трьохшаровій КРС, яка складається з трьох квантово обмежених областей, побудованих на основі GaAs та розмежованих двома квантово – обмеженими бар’єрними шарами на основі AlхGa1-хAs.
Методом рішення є аналітичний підхід до рішення рівняння Шредингера, тобто розкладення рішення за власними функціями.
В роботі розглянуті випадки коли трьохшарова КРС знаходиться в стаціонарному стані, і під дією зовнішнього сталого електричного поля.
Розроблена методика розрахунку власного значення енергії, хвильової функції та густини розподілу ймовірності частинок для трьохшарової КРС на основі GaAs/AlхGa1-хAs з використанням математичного пакету Mathcad 2000 pro.
Опис
Ключові слова
структура квантоворозмірна, електрон, важка дірка, легка дірка, спектр енергетичний, функція хвильова, бар’єр потенційний, яма квантова
Цитування
Гулієва Е. Г. Формування енергетичних мінізон у багатошарових наноструктурах : атестаційна робота здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 153 Мікро- та наносистемна техніка / Е. Г. Гулієва ; М-во освіти і науки України, ХНУРЕ. – Харків, 2019. - 37 с.