Моделирование тонкоплёночного солнечного элемента на основе гетероструктуры Cu(In,Ga)Se2/CdS

Сребнюк, Е. А.; Галат, А. Б.

Публікація:
Моделирование тонкоплёночного солнечного элемента на основе гетероструктуры Cu(In,Ga)Se2/CdS

dc.contributor.author	Сребнюк, Е. А.
dc.contributor.author	Галат, А. Б.
dc.date.accessioned	2019-05-31T13:01:41Z
dc.date.available	2019-05-31T13:01:41Z
dc.date.issued	2019
dc.description.abstract	Article describes an algorithm and its software realization in SCAPS for numerical simulation and optimization of parameters (layer thickness, layer configuration etc) of Cu(In,Ga)Se2/CdS hetero-junction thin film solar cell, allowing to plot I-V, C-V curves, calculate current, ETA % and many other parameters based on different variables [3].	uk_UA
dc.identifier.citation	Сребнюк Е. А. Моделирование тонкоплёночного солнечного элемента на основе гетероструктуры Cu(In,Ga)Se2/CdS / Е. А. Сребнюк, А. Б. Галат // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : зб. тез. доп. ХХІІI Харків. конф. молодих науковців, 16–18 квіт. 2019 р. – Харків, 2019. – С. 103.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/9103
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЕ	uk_UA
dc.subject	Моделирование тонкоплёночного солнечного элемента	uk_UA
dc.subject	гетероструктуры Cu(In,Ga)Se2/CdS	uk_UA
dc.title	Моделирование тонкоплёночного солнечного элемента на основе гетероструктуры Cu(In,Ga)Se2/CdS	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication