Шляхи підвищення ЕРС напівпровідникових елементів на основі термоелектричних ефектів

Мягкий, О. В.; Орел, Р. П.; Мешков, С. М.; Стороженко, В. О.

Публікація:
Шляхи підвищення ЕРС напівпровідникових елементів на основі термоелектричних ефектів

dc.contributor.author	Мягкий, О. В.
dc.contributor.author	Орел, Р. П.
dc.contributor.author	Мешков, С. М.
dc.contributor.author	Стороженко, В. О.
dc.date.accessioned	2025-06-12T06:56:28Z
dc.date.available	2025-06-12T06:56:28Z
dc.date.issued	2024
dc.description.abstract	Розглянуто розвиток термовольтаїчного ефекту у варізонних напівпровідникових багатошарових структурах. Досліджено ефект виникнення електрорушійної сили (ЕРС) у напівпровідникових зразках без ізотипних переходів та бар'єрів типу метал-напівпровідник при їх нагріванні вздовж зразка при термовольтаичному ефек ті. Розглянуто можливості отримання стабільної термостимульованої ЕРС у напівпровідникових зразках з неоднорідним складом, зокрема у варізонних напівпровідниках при їх нагріванні. Змодельовано напівпровід ник з неоднорідним складом, у якому концентрації носіїв заряду – як електронів, так і дірок, достатньо для виникнення відчутного електричного струму за його збудженні. Розглянуто випадки одиничного варізонного шару напівпровідника та комбінації декількох шарів за різних температурних умов. Проаналізовано виникнення ЕРС і кількісні характеристики цього процесу. Підтверджено, що поява термоЕРС обумовлюється нерівно важністю стану та неоднорідністю середовища, а також його біполярністю. Показано, що у замкнутому контурі з неоднорідним легуванням та зі змінною шириною забороненої зони виникає ЕРС в умовах однорідного нагрі вання всього контуру. Отримано рівняння, яке описує виникнення ЕРС у варізонних напівпровідниках. Для розрахунку теплового поля побудовано теплофізичну модель на основі нестаціонарного рівняння теплопровідності з граничними умовами 2-го та 3-го роду. Використовувана теплофізична модель характеризує двошарову структуру з параметрами, що плавно змінюються. Результати чисельного експерименту дозволили отримати рекомендовані межі температури до роботи розглянутих елементів з урахуванням твердого розчину SiGe і розрахувати величину додаткової ЕРС.
dc.identifier.citation	Шляхи підвищення ЕРС напівпровідникових елементів на основі термоелектричних ефектів / О. В. Мягкий, Р. П. Орел, С. М. Мешков, В. О. Стороженко // Радіотехніка : Всеукр. міжвід. наук.-техн. зб. – Харьків, 2024. – Вип. 216. – С. 103–107. - DOI: 10.30837/rt.2024.1.216.10.
dc.identifier.doi	https://doi.org/10.30837/rt.2024.1.216.10
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/31498
dc.language.iso	uk
dc.publisher	ХНУРЕ
dc.subject	багатошарова структура
dc.subject	термовольтаїчний ефект
dc.title	Шляхи підвищення ЕРС напівпровідникових елементів на основі термоелектричних ефектів
dc.type	Article
dspace.entity.type	Publication