Публікація:
Энергетические состояния частиц и квазичастиц в активной области ИПЛ на КРС на основе InGaAs / InP

Спрощена сторінка документа
dc.contributor.authorПащенко, А. Г.
dc.date.accessioned2019-10-01T14:18:25Z
dc.date.available2019-10-01T14:18:25Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractВ работе рассмотрено влияние геометрических параметров КРС на длину волны генерации инжекционного полупроводникового лазера на основе InGaAs/InP. На основании решения стационарного уравнения Шредингера с невозмущённым гамильтонианом для двухслойной КРС была получена зависимость длины волны излучения от ширины ям и барьера. Показано, что на этапе изготовления квантово-размерного лазера длиной волны излучения можно управлять в широких пределах, изменяя ширину разделительного баръера.uk_UA
dc.identifier.citationПащенко А. Г. Энергетические состояния частиц и квазичастиц в активной области ИПЛ на КРС на основе InGaAs / InP / А. Г. Пащенко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – Х. : ХТУРЭ, 1999. – Вып. 111. – С. 26–29.uk_UA
dc.identifier.urihttp://openarchive.nure.ua/handle/document/9872
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherХТУРЭuk_UA
dc.subjectполупроводниковый лазерuk_UA
dc.subjectразделительный баръерuk_UA
dc.titleЭнергетические состояния частиц и квазичастиц в активной области ИПЛ на КРС на основе InGaAs / InPuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Назва:
Pashenko_26-29.doc
Розмір:
209 KB
Формат:
Microsoft Word
Завантажити
Ліцензійний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Радіотехніка