Публікація: Энергетические состояния частиц и квазичастиц в активной области ИПЛ на КРС на основе InGaAs / InP
Немає доступних мініатюр
Дата
1999
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХТУРЭ
Анотація
В работе рассмотрено влияние геометрических параметров КРС на длину волны генерации инжекционного полупроводникового лазера на основе InGaAs/InP. На основании решения стационарного уравнения Шредингера с невозмущённым гамильтонианом для двухслойной КРС была получена зависимость длины волны излучения от ширины ям и барьера. Показано, что на этапе изготовления квантово-размерного лазера длиной волны излучения можно управлять в широких пределах, изменяя ширину разделительного баръера.
Опис
Ключові слова
полупроводниковый лазер, разделительный баръер
Бібліографічний опис
Пащенко А. Г. Энергетические состояния частиц и квазичастиц в активной области ИПЛ на КРС на основе InGaAs / InP / А. Г. Пащенко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – Х. : ХТУРЭ, 1999. – Вып. 111. – С. 26–29.