Расчет параметров нелинейности характеристик биполярных транзисторов при нелинейной локации полупроводниковых приборов

Abstract

Анотація: Наведено результати аналізу вольтамперних характеристик (ВАХ) біполярних транзисторів та отримано вирази для параметрів нелінійності. Показано можливість розрахунку режиму транзистора, за якого отримуються певні значення параметрів нелінійності. Розглянуто перспективи використання отриманих результатів в системах технічного захисту інформації. Summary: Analysis results of volt-ampere characteristics (VAC) of bipolar transistors are shown and expressions are got for the parameters of non-linearity. Possibility of calculation of the regime of transistor which the defined values of parameters of non-linearity turn out for is shown. Perspectives of results using in systems of information defence are observed.