Методи моделювання резонансно-тунельного діоду

Яцун, К. С.

Публікація:
Методи моделювання резонансно-тунельного діоду

dc.contributor.author	Яцун, К. С.
dc.date.accessioned	2021-11-29T16:47:13Z
dc.date.available	2021-11-29T16:47:13Z
dc.date.issued	2021
dc.description.abstract	The work is devoted to methods for modeling the frequency characteristics of a GaAs composite semiconductor based on a resonant tunneling diode, presented in mathematical form with the aim of further constructing a theoretically calculated current-voltage characteristic of a diode in accordance with the experimental characteristic. In particular, the method of transfer matrices, which belongs to conditionally analytical methods for calculating electronic transparency, and the method of Green's function, which is a numerical method for calculating transparency, are considered.	uk_UA
dc.identifier.citation	Яцун К. C. Методи моделювання резонансно-тунельного діоду / К. C. Яцун, науковий керівник – доц. Пащенко О. Г. // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : матеріали 25-го Міжнар. молодіжн. форуму, 20-22 квітня 2021 р. – Харків : ХНУРЕ, 2021. – Т. 1. – С. 69–70.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/18513
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЕ	uk_UA
dc.subject	моделювання резонансно-тунельного діоду	uk_UA
dc.title	Методи моделювання резонансно-тунельного діоду	uk_UA
dc.type	Conference proceedings	uk_UA
dspace.entity.type	Publication