Шляхи підвищення ЕРС напівпровідникових елементів на основі термоелектричних ефектів

Мягкий, О. В.; Орел, Р. П.; Мешков, С. М.; Стороженко, В. О.

Публікація:
Шляхи підвищення ЕРС напівпровідникових елементів на основі термоелектричних ефектів

dc.contributor.author	Мягкий, О. В.
dc.contributor.author	Орел, Р. П.
dc.contributor.author	Мешков, С. М.
dc.contributor.author	Стороженко, В. О.
dc.date.accessioned	2025-01-16T11:48:05Z
dc.date.available	2025-01-16T11:48:05Z
dc.date.issued	2024
dc.description.abstract	У роботі розглянуто розвиток термовольтаичного ефекту у варізонних напівпровідникових багатошарових структурах. Досліджено ефект виникнення електрорушійної сили (ЕРС) у напівпровідникових зразках без ізотипних переходів та бар'єрів типу метал-напівпровідник при їх нагріванні вздовж зразка при термовольтаичному ефекті. Розглянуто можливості отримання стабільної термостимульованої ЕРС у напівпровідникових зразках з неоднорідним складом, зокрема у варізонних напівпровідниках при їх нагріванні. Змодельовано напівпровідник з неоднорідним складом, у якому концентрації носіїв заряду – як електронів, так і дірок, достатньо для виникнення відчутного електричного струму за його збудженні. Розглянуто випадки одиничного варізонного шару напівпровідника та комбінації декількох шарів за різних температурних умов. Проаналізовано виникнення ЕРС і кількісні характеристики цього процесу. Підтверджено, що поява термо ЕРС обумовлюється нерівноважністю стану та неоднорідністю середовища, а також його біполярністю. Показано, що у замкнутому контурі з неоднорідним легуванням та зі змінною шириною забороненої зони виникає ЕРС в умовах однорідного нагрівання всього контуру. Отримано рівняння, яке описує виникнення ЕРС у варізонних напівпровідниках. Для розрахунку теплового поля побудовано теплофізичну модель на основі нестаціонарного рівняння теплопровідності з граничними умовами 2-го та 3-го роду. Використовувана теплофізична модель характеризує двошарову структуру з параметрами, що плавно змінюються. Результати чисельного експерименту дозволили отримати рекомендовані межі температури до роботи розглянутих елементів з урахуванням твердого розчину SiGe і розрахувати величину додаткової ЕРС.
dc.identifier.citation	Шляхи підвищення ЕРС напівпровідникових елементів на основі термоелектричних ефектів / О. В. Мягкий, Р. П. Орел, С. М. Мешков, В. О. Стороженко // Радіотехніка : Всеукр. міжвід. наук.-техн. зб. - 2024. - Вип. 1(216). – С. 103–107.
dc.identifier.doi	https://doi.org/10.30837/rt.2024.1.216.10
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/29606
dc.language.iso	uk
dc.publisher	ХНУРЕ
dc.subject	варизонний напівпровідник
dc.subject	SiGe структура
dc.subject	гетероперехід
dc.subject	термоЕРС
dc.subject	рівень Фермі
dc.subject	теплофізична модель
dc.subject	метод кінцевих різниць
dc.title	Шляхи підвищення ЕРС напівпровідникових елементів на основі термоелектричних ефектів
dc.type	Article
dspace.entity.type	Publication