Модифікація активного шару фотоприймачів на основі багатошарових наноструктур

Ільченко, А. Д.

Публікація:
Модифікація активного шару фотоприймачів на основі багатошарових наноструктур

dc.contributor.author	Ільченко, А. Д.
dc.date.accessioned	2023-05-12T16:34:04Z
dc.date.available	2023-05-12T16:34:04Z
dc.date.issued	2022
dc.description.abstract	Об'єктом дослідження є енергетичні стани частинок і квазічастинок в тришаровій квантово-розмірній структурі, створеній на основі твердого розчину GaAs/AlxGa1-xAs, яка знаходиться у i області p-i-n фотодіоду. Метою даної кваліфікаційної роботи є дослідження залежності енергетичних характеристик коефіцієнту поглинання квантово-розмірного фотоприймача від інженерних параметрів квантово-розмірної структури. Методом досягнення є квантово-механічне моделювання енергетичних станів частинок і квазічастинок в активній області фотоприймача за допомогою розв’язання стаціонарного рівняння Шредінгера. За допомогою математичного пакету Mathcad, проведено дослідження впливу на коефіцієнт поглинання структурних параметрів активної області фотоприймача, створеного на основі багатошарової квантово-розмірної структури.
dc.identifier.citation	Ільченко А. Д. Модифікація активного шару фотоприймачів на основі багатошарових наноструктур : пояснювальна записка до атестаційної роботи здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 153 – Мікро- та наносистемна техніка / А. Д. Ільченко ; М-во освіти і науки України, Харків. нац. ун-т радіоелектроніки – Харків, 2022. - 40 с.
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/22904
dc.language.iso	uk
dc.publisher	ХНУРЕ
dc.subject	фотоприймач
dc.subject	багатошарова наноструктура
dc.subject	активний шар фотоприймачів
dc.title	Модифікація активного шару фотоприймачів на основі багатошарових наноструктур
dc.type	Other
dspace.entity.type	Publication