Элемент энергонезависимой памяти на основе квантовых точек

Слабый, К. Г.; Пащенко, А. Г.

Публікація:
Элемент энергонезависимой памяти на основе квантовых точек

dc.contributor.author	Слабый, К. Г.
dc.contributor.author	Пащенко, А. Г.
dc.date.accessioned	2019-04-22T12:51:52Z
dc.date.available	2019-04-22T12:51:52Z
dc.date.issued	2017
dc.description.abstract	This paper proposes a perspective flash memory element which is used as a storage cell array of self-assembled quantum dots as an intermediate layer in the structure of a field effect transistor with modulated doping. Described the physical basis of information storage in the proposed memory cell. A schematic structure of the element and its operation of recording, reading and erasing of information storage studied based on GaAs / AlGaAs MODFET transistor structure. Structure of a layer of quantum dots is grown on the principle of Stranski–Krastanov growth mechanism.	uk_UA
dc.identifier.citation	Слабый К. Г. Элемент энергонезависимой памяти на основе квантовых точек / К. Г. Слабый, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : зб. тез. доп. ХХI Харків. конф. молодих науковців, 25–27 квіт. 2017 р. – Харків, 2017. – С. 63.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/8446
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЕ	uk_UA
dc.subject	Энергонезависимая память	uk_UA
dc.subject	Квантовые точки	uk_UA
dc.title	Элемент энергонезависимой памяти на основе квантовых точек	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication