Публікація: Модель распределения электронных состояний для определения спектра оптического поглощения
Немає доступних мініатюр
Файли
Дата
2011
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХНУРЭ
Анотація
In this paper we investigate the possibility of an analytical approximation of the density of electronic states and optical absorption, which take into consideration for the main features of amorphous silicon and devices based on it. В настоящее время на основе аморфного кремния (a-Si) создано значительное число различных электронных приборов (солнечные элементы, транзисторы, фотодатчики и т.д.). При моделировании этих приборов очень важно знать функцию плотности электронных состояний, которая определяет оптические, электрические и фотоэлекрические свойства a-Si, а, значит, и параметры приборов. Функции плотности электронных состояний и связанные с ними функции оптического поглощения аморфного кремния, использующиеся в расчетах, недостаточно точно описывают экспериментальные данные. Поэтому актуальным все еще является аналитическое описание данных функций.
Опис
Ключові слова
Бібліографічний опис
Пащенко А. Г. Модель распределения электронных состояний для определения спектра оптического поглощения / А. Г. Пащенко, О. Ю. Сологуб, В. Г. Вербицкий // Функциональная база наноэлектроники : сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., 30 сент. – 3 окт. 2011 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2011. – С. 82–85