Энергонезависимая память на основе квантовых точек выращенных по методу самоорганизации

Слабый, К. Г.; Пащенко, А. Г.

Публікація:
Энергонезависимая память на основе квантовых точек выращенных по методу самоорганизации

dc.contributor.author	Слабый, К. Г.
dc.contributor.author	Пащенко, А. Г.
dc.date.accessioned	2019-05-18T12:01:31Z
dc.date.available	2019-05-18T12:01:31Z
dc.date.issued	2018
dc.description.abstract	The paper presents an analysis of pairs of materials suitable for growing quantum dots by self-organization in the process of epitaxial growth. A necessary condition for the emergence of spontaneous self-organization is the presence of a difference in the values of the lattice constant between the grown material and the surface (substrate) on which it is grown. The pairs of materials are not suitable for the self-consistent growths of quantum dots are identified. Pairs of materials suitable for growing quantum dots by the method of selforganization are determined.	uk_UA
dc.identifier.citation	Слабый К. Г. Энергонезависимая память на основе квантовых точек выращенных по методу самоорганизации / К. Г. Слабый, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІІ столітті : зб. тез. доп. ХХI Харків. конф. молодих науковців, 17–19 квіт. 2018 р. – Харків, 2018. – С. 23.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/8791
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЕ	uk_UA
dc.subject	Энергонезависимая память	uk_UA
dc.subject	квантовые точки	uk_UA
dc.title	Энергонезависимая память на основе квантовых точек выращенных по методу самоорганизации	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication