Кинетика фотопроводимости c-Si с аморфными неоднородностями

Бабыченко, О. Ю.; Пащенко, А. Г.

Публікація:
Кинетика фотопроводимости c-Si с аморфными неоднородностями

dc.contributor.author	Бабыченко, О. Ю.
dc.contributor.author	Пащенко, А. Г.
dc.date.accessioned	2018-07-18T11:39:27Z
dc.date.available	2018-07-18T11:39:27Z
dc.date.issued	2017
dc.description.abstract	Теоретически исследовано влияние на фотопроводимость кристаллического кремния аморфных вкраплений цилиндрической формы при воздействии излучения из области фоточувствительности исследуемой структуры. Проанализирована фотопроводимость структуры в зависимости от геометрических размеров вкраплений, их расположения в структуре и скоростью поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда. Установлено, что при увеличении доли вкраплений в структуре процессы генерации неравновесных носителей заряда определяются, главным образом, аморфной матрицей. Выявлено возникновения при определенных условиях эффекта отрицательной фотопроводимости.	uk_UA
dc.identifier.citation	Бабыченко О. Ю. Кинетика фотопроводимости c-Si с аморфными неоднородностями / О. Ю. Бабыченко, А. Г. Пащенко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2017. – Вып. 190. – С. 36 – 43	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/6608
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	фотопроводимость структуры	uk_UA
dc.subject	фотопроводимость кристаллического кремния	uk_UA
dc.subject	аморфная матрица	uk_UA
dc.title	Кинетика фотопроводимости c-Si с аморфными неоднородностями	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication