Характеристики диодов на основе одностепенных углеродных нанотрубок

Публікація:
Характеристики диодов на основе одностепенных углеродных нанотрубок

dc.contributor.author	Гончаров, А. С.
dc.contributor.author	Бондаренко, И. Н.
dc.date.accessioned	2019-05-17T19:02:28Z
dc.date.available	2019-05-17T19:02:28Z
dc.date.issued	2018
dc.description.abstract	The diode is one of the most important basic components in integrated circuit. The excellent electrical and mechanical properties for the semiconducting single-walled carbon nanotube (SWCNT) afford it the ideal candidate material for preparing the diode. The unique one-dimensional structure of SWCNTs enables it to be doped in specific segments of individual SWCNT to construct high quality of p-n junction.	uk_UA
dc.identifier.citation	Гончаров А. С. Характеристики диодов на основе одностепенных углеродных нанотрубок / А. С. Гончаров, И. Н. Бондаренко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІІ столітті : зб. тез. доп. ХХI Харків. конф. молодих науковців, 17–19 квіт. 2018 р. – Харків, 2018. – С. 15.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/8723
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЕ	uk_UA
dc.subject	Характеристики диода	uk_UA
dc.subject	Нанотрубки	uk_UA
dc.title	Характеристики диодов на основе одностепенных углеродных нанотрубок	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication