Влияние генерации и рекомбинации экситонов на статические характеристики инжекционных лазеров

Пащенко, А. Г.

Публікація:
Влияние генерации и рекомбинации экситонов на статические характеристики инжекционных лазеров

dc.contributor.author	Пащенко, А. Г.
dc.date.accessioned	2021-11-20T16:38:18Z
dc.date.available	2021-11-20T16:38:18Z
dc.date.issued	1998
dc.description.abstract	Рассмотрен вклад экситонов Ванье—Мотта в физические процессы в инжекционных полупроводниковых лазерах на квантоворазмерных структурах на основе ОаАв/А^ОаьхАз. Описан подход к решению системы скоростных уравнений с учетом генерации и аннигиляции электронно-дырочных пар. Получены зависимости плотности генерируемых фотонов, а также неравновесных электронов и экситонов, образующихся в результате связывания свободных носителей, от плотности тока накачки в допороговой, пороговой и вышепороговой областях	uk_UA
dc.identifier.citation	Пащенко А. Г. Влияние генерации и рекомбинации экситонов на статические характеристики инжекционных лазеров / А. Г. Пащенко // Радиотехника : всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 1998. – Вып. 105. – С. 166–169.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/18257
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХТУРЭ	uk_UA
dc.subject	радиотехника	uk_UA
dc.subject	полупроводниковый лазер	uk_UA
dc.title	Влияние генерации и рекомбинации экситонов на статические характеристики инжекционных лазеров	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication