Публікація: Влияние генерации и рекомбинации экситонов на статические характеристики инжекционных лазеров
Завантаження...
Дата
1998
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХТУРЭ
Анотація
Рассмотрен вклад экситонов Ванье—Мотта в физические процессы в инжекционных полупроводниковых лазерах на квантоворазмерных структурах на основе ОаАв/А^ОаьхАз. Описан подход к решению системы скоростных уравнений с учетом генерации и аннигиляции электронно-дырочных пар. Получены зависимости плотности генерируемых фотонов, а также неравновесных электронов и экситонов, образующихся в результате связывания свободных носителей, от плотности тока накачки в допороговой, пороговой и вышепороговой областях
Опис
Ключові слова
радиотехника, полупроводниковый лазер
Бібліографічний опис
Пащенко А. Г. Влияние генерации и рекомбинации экситонов на статические характеристики инжекционных лазеров / А. Г. Пащенко // Радиотехника : всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 1998. – Вып. 105. – С. 166–169.