Влияние генерации и рекомбинации экситонов на статические характеристики инжекционных лазеров

Abstract

Рассмотрен вклад экситонов Ванье—Мотта в физические процессы в инжекционных полупроводниковых лазерах на квантоворазмерных структурах на основе ОаАв/А^ОаьхАз. Описан подход к решению системы скоростных уравнений с учетом генерации и аннигиляции электронно-дырочных пар. Получены зависимости плотности генерируемых фотонов, а также неравновесных электронов и экситонов, образующихся в результате связывания свободных носителей, от плотности тока накачки в допороговой, пороговой и вышепороговой областях