Аналитическая модель гетероперехода a-Si:h/c-Si солнечного элемента

Галат, А. Б.

Публікація:
Аналитическая модель гетероперехода a-Si:h/c-Si солнечного элемента

dc.contributor.author	Галат, А. Б.
dc.date.accessioned	2018-07-24T08:42:45Z
dc.date.available	2018-07-24T08:42:45Z
dc.date.issued	2013
dc.description.abstract	The given work is devoted to investigation and research of analytical model of a-Si:H/c-Si heterojunction, used in solar cells. The model based on diffusion electron/hole motion mechanism. The analytical expressions of voltage-current characteristics are presented. Computer simulations have been carried out in order to attempt the optimal configuration of layer structure. The influence of doping concentrations level of both a-Si:H and c-Si layer on the current density is also calculated.	uk_UA
dc.identifier.citation	Галат А. Б. Аналитическая модель гетероперехода a-Si:h/c-Si солнечного элемента / А. Б. Галат // 6-я Международная научная конференция «Функциональная база наноэлектроники». Сб. науч. трудов. – Харьков: ХНУРЭ, 2013. – С.241–244.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/6644
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЕ	uk_UA
dc.subject	фотопреобразователь	uk_UA
dc.subject	аналитическая модель	uk_UA
dc.subject	гетеропереход	uk_UA
dc.title	Аналитическая модель гетероперехода a-Si:h/c-Si солнечного элемента	uk_UA
dc.type	Thesis	uk_UA
dspace.entity.type	Publication