Публікація: Исследование переноса заряда в низкоразмерной двумерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов
dc.contributor.author | Грищенко, С. В. | |
dc.contributor.author | Синельникова, О. И. | |
dc.contributor.author | Якушев, С. О. | |
dc.contributor.author | Фесенко, В. И. | |
dc.contributor.author | Шулика, А. В. | |
dc.contributor.author | Сухоиванов, И. А. | |
dc.date.accessioned | 2016-09-14T14:12:32Z | |
dc.date.available | 2016-09-14T14:12:32Z | |
dc.date.issued | 2013 | |
dc.description.abstract | Цель работы – теоретическое исследование переноса заряда (электронного транспорта) в низкоразмерной (двумерной) полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Исследование переноса заряда в низкоразмерной двумерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов / С. В. Грищенко и др. // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – Харьков, 2013. – Вып. 175. – С. 46 – 52. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://openarchive.nure.ua/handle/document/2577 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | ХНУРЭ | uk_UA |
dc.subject | перенос заряда | uk_UA |
dc.subject | полупроводниковая структура | uk_UA |
dc.subject | немарковские эффекты | uk_UA |
dc.title | Исследование переноса заряда в низкоразмерной двумерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
dspace.entity.type | Publication |
Файли
Оригінальний пакет
1 - 1 з 1
Ліцензійний пакет
1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 9.42 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: