Структура резко асимметричного p-n-перехода с учетом заряда подвижных носителей

Abstract

Данная работа выполнена в контексте уточнения аналитической оценки тока рекомбинации в части обоснования границ применимости модели Шоттки и расширения области применения модели Шоттки при расчете токов рекомбинации в области пространственного заряда резко асимметричного полупроводникового перехода.