Публікація: Структура резко асимметричного p-n-перехода с учетом заряда подвижных носителей
Завантаження...
Дата
2018
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХНУРЭ
Анотація
Данная работа выполнена в контексте уточнения аналитической оценки тока рекомбинации в части обоснования границ применимости модели Шоттки и расширения области применения модели Шоттки при расчете токов рекомбинации в области пространственного заряда резко асимметричного полупроводникового перехода.
Опис
Ключові слова
ток рекомбинации, модель Шоттки, резко асимметричный полупроводниковый переход
Бібліографічний опис
Галат А. Б. Структура резко асимметричного p-n-перехода с учетом заряда подвижных носителей / А. Б. Галат, А. Л. Донченко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – Харьков, 2018. – Вып. 192. – С. 113 – 118.