Структура резко асимметричного p-n-перехода с учетом заряда подвижных носителей

Галат, А. Б.; Донченко, А. Л.

Публікація:
Структура резко асимметричного p-n-перехода с учетом заряда подвижных носителей

dc.contributor.author	Галат, А. Б.
dc.contributor.author	Донченко, А. Л.
dc.date.accessioned	2019-11-15T15:15:06Z
dc.date.available	2019-11-15T15:15:06Z
dc.date.issued	2018
dc.description.abstract	Данная работа выполнена в контексте уточнения аналитической оценки тока рекомбинации в части обоснования границ применимости модели Шоттки и расширения области применения модели Шоттки при расчете токов рекомбинации в области пространственного заряда резко асимметричного полупроводникового перехода.	uk_UA
dc.identifier.citation	Галат А. Б. Структура резко асимметричного p-n-перехода с учетом заряда подвижных носителей / А. Б. Галат, А. Л. Донченко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – Харьков, 2018. – Вып. 192. – С. 113 – 118.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/10229
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	ток рекомбинации	uk_UA
dc.subject	модель Шоттки	uk_UA
dc.subject	резко асимметричный полупроводниковый переход	uk_UA
dc.title	Структура резко асимметричного p-n-перехода с учетом заряда подвижных носителей	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication