Оценка основных параметров диодных p-i-n фотоструктур

Публікація:
Оценка основных параметров диодных p-i-n фотоструктур

dc.contributor.author	Слипченко, Н. И.
dc.contributor.author	Письменецкий, В. А.
dc.contributor.author	Супрун, Ж. М.
dc.date.accessioned	2021-02-27T19:28:51Z
dc.date.available	2021-02-27T19:28:51Z
dc.date.issued	2002
dc.description.abstract	Рассматриваются основные свойства и параметры p-i-n фотодиодов. Исследуется влияние температуры и освещенности на фотоэлектрические характеристики кремниевых солнечных элементов.	uk_UA
dc.identifier.citation	Слипченко Н. И. Оценка основных параметров диодных p-i-n фотоструктур / Н. И. Слипченко, В. А. Письменецкий, Ж. М. Супрун // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – 2002. – Вып. 4. – С. 37–42.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/14733
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	солнечный элемент	uk_UA
dc.subject	освещенность	uk_UA
dc.title	Оценка основных параметров диодных p-i-n фотоструктур	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication