Публікація:
Оценка основных параметров диодных p-i-n фотоструктур

Проста сторінка документа
dc.contributor.authorСлипченко, Н. И.
dc.contributor.authorПисьменецкий, В. А.
dc.contributor.authorСупрун, Ж. М.
dc.date.accessioned2021-02-27T19:28:51Z
dc.date.available2021-02-27T19:28:51Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractРассматриваются основные свойства и параметры p-i-n фотодиодов. Исследуется влияние температуры и освещенности на фотоэлектрические характеристики кремниевых солнечных элементов.uk_UA
dc.identifier.citationСлипченко Н. И. Оценка основных параметров диодных p-i-n фотоструктур / Н. И. Слипченко, В. А. Письменецкий, Ж. М. Супрун // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – 2002. – Вып. 4. – С. 37–42.uk_UA
dc.identifier.urihttp://openarchive.nure.ua/handle/document/14733
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherХНУРЭuk_UA
dc.subjectсолнечный элементuk_UA
dc.subjectосвещенностьuk_UA
dc.titleОценка основных параметров диодных p-i-n фотоструктурuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакунок

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
RI_2002_4_37-42.pdf
Розмір:
314.87 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Пакунок ліцензії

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Радіоелектроніка та інформатика