Публікація:
Оценка основных параметров диодных p-i-n фотоструктур

Завантаження...
Зображення мініатюри

Дата

Назва журналу

ISSN журналу

Назва тому

Видавець

ХНУРЭ

Дослідницькі проекти

Організаційні одиниці

Випуск журналу

Анотація

Рассматриваются основные свойства и параметры p-i-n фотодиодов. Исследуется влияние температуры и освещенности на фотоэлектрические характеристики кремниевых солнечных элементов.

Опис

Ключові слова

солнечный элемент, освещенность

Цитування

Слипченко Н. И. Оценка основных параметров диодных p-i-n фотоструктур / Н. И. Слипченко, В. А. Письменецкий, Ж. М. Супрун // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – 2002. – Вып. 4. – С. 37–42.

DOI

Схвалення

Рецензія

Доповнено

На які посилаються