Расчет спектральной зависимости края собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон

Abstract

Целью работы является численное исследование зависимости края собственного поглощения полупроводниковых материалов А3В5 на примере GaAs от концентрации примесей. In this work presented a model for the calculation the spectral dependence of the intrinsic absorption edge of semiconductor solid solutions with a direct energy band structure at the example of GaAs. It can be used in mathematical models that describe the work of photoelectric converters.