Расчет спектральной зависимости края собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон

Публікація:
Расчет спектральной зависимости края собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон

dc.contributor.author	Сологуб, О. Ю.
dc.date.accessioned	2018-07-17T11:10:31Z
dc.date.available	2018-07-17T11:10:31Z
dc.date.issued	2010
dc.description.abstract	Целью работы является численное исследование зависимости края собственного поглощения полупроводниковых материалов А3В5 на примере GaAs от концентрации примесей. In this work presented a model for the calculation the spectral dependence of the intrinsic absorption edge of semiconductor solid solutions with a direct energy band structure at the example of GaAs. It can be used in mathematical models that describe the work of photoelectric converters.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/6588
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	оптический спектр	uk_UA
dc.subject	энергетическая зона	uk_UA
dc.title	Расчет спектральной зависимости края собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон	uk_UA
dc.type	Conference proceedings	uk_UA
dspace.entity.type	Publication

Зараз показано 1 - 1 з 1

Зараз показано 1 - 1 з 1