Энергонезависимая память с использованием квантовых точек в качестве структурного элемента

Слабый, К. Г.; Пащенко, А. Г.

Публікація:
Энергонезависимая память с использованием квантовых точек в качестве структурного элемента

dc.contributor.author	Слабый, К. Г.
dc.contributor.author	Пащенко, А. Г.
dc.date.accessioned	2019-05-31T13:05:20Z
dc.date.available	2019-05-31T13:05:20Z
dc.date.issued	2019
dc.description.abstract	This paper discusses the possibility of using quantum dots in information storage devices. An analysis of the mechanisms responsible for storing information in quantum-dimensional structures was performed. An embodiment of this technology was presented using the example of silicon quantum dots on the surface of a nitride. Some properties of quantum low-dimensional structures that can be useful in microelectronics are explained. This direction requires the creation of new complex mathematical models, but can be implemented on the basis of classical flash memory circuit design.	uk_UA
dc.identifier.citation	Слабый К. Г. Энергонезависимая память с использованием квантовых точек в качестве структурного элемента / К. Г. Слабый, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : зб. тез. доп. ХХІІI Харків. конф. молодих науковців, 16–18 квіт. 2019 р. – Харків, 2019. – С. 97.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/9107
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЕ	uk_UA
dc.subject	Энергонезависимая память	uk_UA
dc.subject	структурный элемент	uk_UA
dc.title	Энергонезависимая память с использованием квантовых точек в качестве структурного элемента	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication