Публікація:
Математическая модель термоупругих напряжений при росте кристаллов

Проста сторінка документа
dc.contributor.authorТевяшев, А. Д.
dc.contributor.authorСуздаль, В. С.
dc.contributor.authorБородавко, Ю. М.
dc.contributor.authorПелипец, А. А.
dc.date.accessioned2021-02-24T18:33:44Z
dc.date.available2021-02-24T18:33:44Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractРассматриваются основные уравнения теории упругости в связи с условиями роста кристаллов – уравнения, составляющие математическую модель термоупругих напряжений при росте кристаллов.uk_UA
dc.identifier.citationМатематическая модель термоупругих напряжений при росте кристаллов / А. Д. Тевяшев, В. С. Суздаль, Ю. М. Бородавко, А. А. Пелипец // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – 2002. – Вып. 2. – С. 27–39.uk_UA
dc.identifier.urihttp://openarchive.nure.ua/handle/document/14688
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherХНУРЭuk_UA
dc.subjectинформатикаuk_UA
dc.subjectрадиоэлектроникаuk_UA
dc.subjectрост кристалловuk_UA
dc.titleМатематическая модель термоупругих напряжений при росте кристалловuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакунок

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
RI_2002_2_27-39.pdf
Розмір:
250.25 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Пакунок ліцензії

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Радіоелектроніка та інформатика