Публікація:
Перестройка частоты излучения чип-лазеров с полупроводниковой накачкой

Проста сторінка документа
dc.contributor.authorМачехин, Ю. П.
dc.contributor.authorТопчий, Ю. А.
dc.date.accessioned2019-06-03T21:31:47Z
dc.date.available2019-06-03T21:31:47Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractВ настоящем докладе рассматривается условие применения дополнительного источника тепла для температурной перестройки твердотельного чип-лазера.uk_UA
dc.identifier.citationМачехин Ю. П. Перестройка частоты излучения чип-лазеров с полупроводниковой накачкой / Ю. П. Мачехин, Ю. А. Топчий // Сборник научных трудов IV Международной научной конференции «Функциональная база наноэлектроники» - 2011 - стр.120-125uk_UA
dc.identifier.urihttp://openarchive.nure.ua/handle/document/9132
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherХНУРЭuk_UA
dc.subjectизлучения чип-лазеровuk_UA
dc.titleПерестройка частоты излучения чип-лазеров с полупроводниковой накачкойuk_UA
dc.typeTechnical Reportuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакунок

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
ST82.pdf
Розмір:
212.61 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Пакунок ліцензії

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Кафедра фізичних основ електронної техніки (ФОЕТ)