СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники

Пятайкина, М. И.; Гордиенко, Ю. Е.; Полищук, А. В.

Публікація:
СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники

dc.contributor.author	Пятайкина, М. И.
dc.contributor.author	Гордиенко, Ю. Е.
dc.contributor.author	Полищук, А. В.
dc.date.accessioned	2019-05-31T12:22:37Z
dc.date.available	2019-05-31T12:22:37Z
dc.date.issued	2015
dc.description.abstract	В статье представлены результаты численного исследования высоколокального СВЧ разогрева тонких пленок полупроводников и диэлектриков на высокоомной подложке кремния. Сравнение с ранее опубликованными нами результатами исследования разогрева кремниевых подложек показывает, что в связи с высокой теплопроводностью кремния влияние подложки на величину температуры разогреваемой пленки будет существенным при уменьшении толщины пленки. Влияние диэлектрической проницаемости пленки также имеет место и связано с изменением СВЧ тепловыделения в ней. С учетом зависимости локализации СВЧ поля от радиуса сферического острия процесс тепловыделения можно локализовать только в пленке, а величиной локального разогрева подложки управлять выбранной толщиной пленки. Это позволит раздельно формировать локальный разогрев пленки и подложки.	uk_UA
dc.identifier.citation	Гордиенко Ю. Е. СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники / Ю. Е. Гордиенко, М. И. Пятайкина, А. В. Полищук // Физическая инженерия поверхности. – 2015. – т. 13, №2. – С. 209-217.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/9075
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.subject	высоколокальный СВЧ нагрев	uk_UA
dc.subject	модификация	uk_UA
dc.subject	тонкопленочная структура	uk_UA
dc.subject	СВЧ микромодификатор	uk_UA
dc.subject	температурная зависимость	uk_UA
dc.title	СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication