Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду

Публікація:
Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду

dc.contributor.author	Яцун, К. С.
dc.contributor.author	Пащенко, А. Г.
dc.date.accessioned	2019-05-19T21:28:41Z
dc.date.available	2019-05-19T21:28:41Z
dc.date.issued	2018
dc.description.abstract	This design explains the principles of modifying the active region of a resonance-tunnel diode by changing the height of potential barriers and the width of a quantum well.	uk_UA
dc.identifier.citation	Яцун К. С. Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду / К. С. Яцун, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІІ столітті : зб. тез. доп. ХХI Харків. конф. молодих науковців, 17–19 квіт. 2018 р. – Харків, 2018. – С. 33.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/8814
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЕ	uk_UA
dc.subject	резонансно-тунельний діод	uk_UA
dc.title	Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication