Методика микроволновой сканирующей томографии электрофизических свойств полупроводников

Мельник, С. И.; Гордиенко, Ю. Е.

Публікація:
Методика микроволновой сканирующей томографии электрофизических свойств полупроводников

dc.contributor.author	Мельник, С. И.
dc.contributor.author	Гордиенко, Ю. Е.
dc.date.accessioned	2024-12-04T16:27:50Z
dc.date.available	2024-12-04T16:27:50Z
dc.date.issued	2010
dc.description.abstract	Разработана методика микроволновой диагностики полупроводников с произвольным распределением электрофизических свойств по глубине. Предложено проводить сканирование по величине воздушного зазора между объемным резонаторным датчиком и поверхностью полупроводника. Разработан одномерный алгоритм реконструкции распределения электрофизических свойств полу проводника. Он сводится к решению интегрального уравнения для получения промежуточной функции, полностью характеризующей свойства объекта, и пошаговому алгоритму решения некорректной обратной задачи для нее
dc.identifier.citation	Мельник С. И. Методика микроволновой сканирующей томографии электрофизических свойств полупроводников / С. И. Мельник, Ю. Е. Гордиенко // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо’2010) : материалы 20-ой Междунар. Крымская конф., 13-17 сентября 2010 г. – Севастополь : Вебер, 2010. – С. 721–722.
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/29358
dc.language.iso	other
dc.publisher	Вебер
dc.subject	микроволновая диагностика
dc.subject	диагностика полупроводников
dc.title	Методика микроволновой сканирующей томографии электрофизических свойств полупроводников
dc.type	Conference proceedings
dspace.entity.type	Publication