Об’єктом досліджень є багатошарова квантоворозмірна структура на основі GaAs/AlхGa1-хAs.
Метою даної дипломної роботи є розгляд енергетичних станів частинок та квазічастинок, які знаходяться в трьохшаровій КРС, яка складається з трьох квантово обмежених областей, побудованих на основі GaAs та розмежованих двома квантово – обмеженими бар’єрними шарами на основі AlхGa1-хAs.
Методом рішення є аналітичний підхід до рішення рівняння Шредингера, тобто розкладення рішення за власними функціями.
В роботі розглянуті випадки коли трьохшарова КРС знаходиться в стаціонарному стані, і під дією зовнішнього сталого електричного поля.
Розроблена методика розрахунку власного значення енергії, хвильової функції та густини розподілу ймовірності частинок для трьохшарової КРС на основі GaAs/AlхGa1-хAs з використанням математичного пакету Mathcad 2000 pro.