Об улучшении чувствительности кремниевых фотосенсоров

Костылев, В. П.; Слусар, Т. В.; Суший, А. В.; Черненко, В. В.

Публікація:
Об улучшении чувствительности кремниевых фотосенсоров

dc.contributor.author	Костылев, В. П.
dc.contributor.author	Слусар, Т. В.
dc.contributor.author	Суший, А. В.
dc.contributor.author	Черненко, В. В.
dc.date.accessioned	2016-05-31T17:48:34Z
dc.date.available	2016-05-31T17:48:34Z
dc.date.issued	2012
dc.description.abstract	В работе исследованы возможности улучшения характеристик кремниевых фотосенсоров классической конструкции. Экспериментально установлено, что тонкий поверхностный слой сильнолегированного эмиттера в таких сенсорах имеет нарушенную структуру с высоким уровнем рекомбинационных потерь. В результате этого фотосенсоры имеют большие величины обратных темновых токов, низкую коротковолновую чувствительность, недостаточно высокие значения фотоэлектрических параметров. Показано, что удаление нарушенного слоя посредством применения циклов cтравливания-выращивания слоя окисла на поверхности эмиттера в процессе изготовления фотосенсоров является эффективным методом уменьшения рекомбинационных потерь и позволяет существенно повысить их коротковолновую и пороговую чувствительность. The possibilities of improving of classic design silicon photosensor characteristics are investigated in the paper. It is shown that the effective method to reduce recombination losses and increase threshold sensitivity is using cycles of etching-growing of the oxide layer from the emitter surface during the production of photosensors, which allows to substantially increase short-wavelength photo sensitivity and operation efficiency.	uk_UA
dc.identifier.citation	Об улучшении чувствительности кремниевых фотосенсоров / В. П. Костылев, Т. В. Слусар и др. // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 3. – С. 440–441.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/533
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	фотосенсор	uk_UA
dc.subject	фоточувствительность	uk_UA
dc.subject	рекомбинационные потери	uk_UA
dc.subject	спектральная характеристика	uk_UA
dc.subject	обратный темновой ток	uk_UA
dc.subject	photosensor	uk_UA
dc.subject	photosensitivity	uk_UA
dc.subject	recombination losses	uk_UA
dc.title	Об улучшении чувствительности кремниевых фотосенсоров	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication