Об улучшении чувствительности кремниевых фотосенсоров

Спрощена сторінка документа
dc.contributor.authorКостылев, В. П.
dc.contributor.authorСлусар, Т. В.
dc.contributor.authorСуший, А. В.
dc.contributor.authorЧерненко, В. В.
dc.date.accessioned2016-05-31T17:48:34Z
dc.date.available2016-05-31T17:48:34Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractВ работе исследованы возможности улучшения характеристик кремниевых фотосенсоров классической конструкции. Экспериментально установлено, что тонкий поверхностный слой сильнолегированного эмиттера в таких сенсорах имеет нарушенную структуру с высоким уровнем рекомбинационных потерь. В результате этого фотосенсоры имеют большие величины обратных темновых токов, низкую коротковолновую чувствительность, недостаточно высокие значения фотоэлектрических параметров. Показано, что удаление нарушенного слоя посредством применения циклов cтравливания-выращивания слоя окисла на поверхности эмиттера в процессе изготовления фотосенсоров является эффективным методом уменьшения рекомбинационных потерь и позволяет существенно повысить их коротковолновую и пороговую чувствительность. The possibilities of improving of classic design silicon photosensor characteristics are investigated in the paper. It is shown that the effective method to reduce recombination losses and increase threshold sensitivity is using cycles of etching-growing of the oxide layer from the emitter surface during the production of photosensors, which allows to substantially increase short-wavelength photo sensitivity and operation efficiency.uk_UA
dc.identifier.citationОб улучшении чувствительности кремниевых фотосенсоров / В. П. Костылев, Т. В. Слусар и др. // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 3. – С. 440–441.uk_UA
dc.identifier.urihttp://openarchive.nure.ua/handle/document/533
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherХНУРЭuk_UA
dc.subjectфотосенсорuk_UA
dc.subjectфоточувствительностьuk_UA
dc.subjectрекомбинационные потериuk_UA
dc.subjectспектральная характеристикаuk_UA
dc.subjectобратный темновой токuk_UA
dc.subjectphotosensoruk_UA
dc.subjectphotosensitivityuk_UA
dc.subjectrecombination lossesuk_UA
dc.titleОб улучшении чувствительности кремниевых фотосенсоровuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Файли
Оригінальний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
25 Киев.pdf
Розмір:
658.47 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Колекції
Прикладная радиоэлектроника