Неразрушающий технологический СВЧ контроль параметров полупроводниковых структур на основе арсенида галлия

Бабыченко, С. В.; Бородин, Б. Г.; Гордиенко, Ю. Е.

Публікація:
Неразрушающий технологический СВЧ контроль параметров полупроводниковых структур на основе арсенида галлия

dc.contributor.author	Бабыченко, С. В.
dc.contributor.author	Бородин, Б. Г.
dc.contributor.author	Гордиенко, Ю. Е.
dc.date.accessioned	2021-06-20T15:02:24Z
dc.date.available	2021-06-20T15:02:24Z
dc.date.issued	2004
dc.description.abstract	Предлагается метод измерения электропроводности и толщины высокоомных арсенидгаллиевых пластин. Приводится схема измерительной установки и результаты экспериментальных измерений.	uk_UA
dc.identifier.citation	Бабыченко С. В. Неразрушающий технологический СВЧ контроль параметров полупроводниковых структур на основе арсенида галлия / С. В. Бабыченко, Б. Г. Бородин, Ю. Е. Гордиенко // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – 2004. – Вып. 2. – С. 43–47.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/16606
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	измерение электропроводности	uk_UA
dc.subject	арсенидгаллиевая пластина	uk_UA
dc.title	Неразрушающий технологический СВЧ контроль параметров полупроводниковых структур на основе арсенида галлия	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication