Публікація:
Неразрушающий технологический СВЧ контроль параметров полупроводниковых структур на основе арсенида галлия

Проста сторінка документа
dc.contributor.authorБабыченко, С. В.
dc.contributor.authorБородин, Б. Г.
dc.contributor.authorГордиенко, Ю. Е.
dc.date.accessioned2021-06-20T15:02:24Z
dc.date.available2021-06-20T15:02:24Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractПредлагается метод измерения электропроводности и толщины высокоомных арсенидгаллиевых пластин. Приводится схема измерительной установки и результаты экспериментальных измерений.uk_UA
dc.identifier.citationБабыченко С. В. Неразрушающий технологический СВЧ контроль параметров полупроводниковых структур на основе арсенида галлия / С. В. Бабыченко, Б. Г. Бородин, Ю. Е. Гордиенко // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – 2004. – Вып. 2. – С. 43–47.uk_UA
dc.identifier.urihttps://openarchive.nure.ua/handle/document/16606
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherХНУРЭuk_UA
dc.subjectизмерение электропроводностиuk_UA
dc.subjectарсенидгаллиевая пластинаuk_UA
dc.titleНеразрушающий технологический СВЧ контроль параметров полупроводниковых структур на основе арсенида галлияuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакунок

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
RI_2004_2_43-47.pdf
Розмір:
288.89 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Пакунок ліцензії

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Радіоелектроніка та інформатика