Приемники инфракрасного излучения на поверхностных электронах для регистрации и визуализации

Abstract

Предлагается низкоразмерная система поверхностных электронов (ПЭ) в различных условиях локализации для создания инфракрасных приемников. Проанализированы динамические свойства ПЭ для различных видов подложек: ПЭ над поверхностью жидкого гелия и над другими крио-материалами; над пленками из сверхтекучего гелия покрывающего полупроводниковую пластину с большой диэлектрической постоянной. Рассмотрена специфическая квантово-размерная система - диплон: поверхностные электроны над гелиевой пленкой локализованные напротив положительных ионов на диэлектрической пластине. Изменение толщины гелиевой пленки на твердой пластине и перемещение пластины вызывают существенные изменения в спектре. Устройство отностися к фотонному типу и имеет небольшое время релаксации. Устройство работает при гелиевых температурах и может обеспечить низкий уровень тепловых шумов.